《防靜電放電（ESD）損傷技術》研修班
講師：來萍 瀏(liu)覽次數：2594
課程(cheng)描述(shu)INTRODUCTION
防靜電放電（ESD）損(sun)傷技術培訓
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課程價格：
培訓天數：日程(cheng)安排SCHEDULE
課程大綱Syllabus
防靜電放電（ESD）損傷技術培訓
課程大綱
一、電子元器件抗ESD損(sun)傷(shang)的基礎(chu)知識(shi)
本(ben)章介(jie)紹有關靜電和(he)靜電放電的(de)基(ji)本(ben)原理(li)(li)，以及對(dui)元器件損傷的(de)主要機理(li)(li)和(he)模(mo)式(shi)。主要內容有：
1.1 靜電和靜電放電的(de)定(ding)義(yi)和特點;
1.2 對靜電放電認識的發展歷(li)史 ;
1.3 靜(jing)電(dian)(dian)的產生(sheng):1.3.1 摩(mo)擦產生(sheng)靜(jing)電(dian)(dian)1.3.2 感應產生(sheng)靜(jing)電(dian)(dian)1.3.3 靜(jing)電(dian)(dian)荷1.3.4 靜(jing)電(dian)(dian)勢1.3.5 影響靜(jing)電(dian)(dian)產生(sheng)和(he)大小的因素(su) ;
1.4 靜(jing)電的(de)來源:1.4.1 人體(ti)靜(jing)電 1.4.2 儀器和設備的(de)靜(jing)電 1.4.3 器件本身的(de)靜(jing)電 1.4.4 其它靜(jing)電來源;
1.5 靜電(dian)放(fang)電(dian)的(de)三種模(mo)(mo)式:1.5.1 帶電(dian)人體的(de)放(fang)電(dian)模(mo)(mo)式 1.5.2 帶電(dian)機(ji)器的(de)放(fang)電(dian)模(mo)(mo)式 1.5.3 充電(dian)器件的(de)放(fang)電(dian)模(mo)(mo)式;
1.6 靜(jing)電放(fang)電失效(xiao):1.6.1 失效(xiao)模式 1.6.2 失效(xiao)機理;
二、制造過程的防靜(jing)電損(sun)傷技(ji)術
本(ben)章(zhang)介紹在(zai)電(dian)子元器(qi)件(jian)制造和(he)裝(zhuang)配(pei)過程(cheng)中，對環境(jing)的靜電(dian)防(fang)護要(yao)求(qiu)，以保證電(dian)子元器(qi)件(jian)在(zai)制造和(he)裝(zhuang)配(pei)過程(cheng)中的靜電(dian)安全。主要(yao)內容有：
2.1 作用和意(yi)義(yi): 2.1.1 多數電子元器(qi)件是靜(jing)電敏感(gan)器(qi)件 2.1.2 靜(jing)電對電子行業造成(cheng)的損(sun)失很大 2.1.3 國內(nei)外企業的狀況 ;
2.2 靜電(dian)(dian)對電(dian)(dian)子產品的(de)損(sun)害(hai): 2.2.1 靜電(dian)(dian)損(sun)害(hai)的(de)形式 2.2.2 靜電(dian)(dian)損(sun)害(hai)的(de)特點 2.2.3 可能產生靜電(dian)(dian)損(sun)害(hai)的(de)制造(zao)過(guo)程;
2.3 靜電防(fang)保的(de)(de)目的(de)(de)和總的(de)(de)原則(ze): 2.3.1 目的(de)(de)和原則(ze) 2.3.2 基本思(si)路和技術途徑(jing);
2.4 靜(jing)電防(fang)(fang)護(hu)材料: 2.4.1與靜(jing)電防(fang)(fang)護(hu)材料有關(guan)的基本概念 2.4.2靜(jing)電防(fang)(fang)保(bao)材料的主要參數 ;
2.5 靜(jing)電(dian)防保器(qi)(qi)材(cai) : 2.5.1 防靜(jing)電(dian)材(cai)料(liao)的制品 2.5.2 靜(jing)合消除器(qi)(qi)（消電(dian)器(qi)(qi)、電(dian)中和器(qi)(qi)或離子平(ping)衡器(qi)(qi)）;
2.6 靜(jing)電(dian)防(fang)保的(de)具(ju)體(ti)措(cuo)(cuo)施(shi)(shi): 2.6.1建立靜(jing)電(dian)安(an)全(quan)工作區 2.6.2 包(bao)裝、運送和存儲工程的(de)防(fang)靜(jing)電(dian)措(cuo)(cuo)施(shi)(shi);2.6.3 靜(jing)電(dian)檢測 2.6.4 靜(jing)電(dian)防(fang)護(hu)的(de)管理工作 ;
三(san)、電子元器件抗(kang)ESD能力(li)的檢測(ce)及分析技術(shu)
本章介紹(shao)對(dui)電子元器件的(de)(de)抗ESD水平(ping)進行(xing)檢測的(de)(de)技術。包括國(guo)內外抗ESD檢測的(de)(de)主要標準，檢測的(de)(de)模(mo)型和方(fang)法以及實際(ji)的(de)(de)一些檢測結(jie)果和遇到的(de)(de)問題。主要內容有：
3.1 抗靜電檢(jian)測的作用和(he)意義(yi) ;
3.2 靜(jing)電放電的標準波形(xing);
3.3 抗(kang)ESD檢測標(biao)準(zhun): 3.3.1 電(dian)子元器件ESDS檢測及分類的常用標(biao)準(zhun) 3.3.2 標(biao)準(zhun)試驗(yan)方法的主要內容;
3.4 實際ESD檢測的(de)結果(guo)統計及分(fen)析: 3.4.1 試驗條(tiao)件(jian) 3.4.2 ESD評(ping)價(jia)試驗結果(guo)分(fen)析 ;
3.5 ESD檢測(ce)中經常遇到的一些(xie)問題 ;
3.6 ESD損傷的失效定位分(fen)析技(ji)術: 3.6.1 端口I－V特(te)性檢(jian)測 3.6.2 光學顯微(wei)觀(guan)察 3.6.3 掃描電(dian)鏡分(fen)析 3.6.4 液晶分(fen)析 3.6.5光輻射顯微(wei)分(fen)析技(ji)術 3.6.6 分(fen)層剝離技(ji)術 3.6.7 小(xiao)結(jie) ;
3.7 ESD和EOS的判(pan)別方法(fa)討論(lun): 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件(jian)損傷的分析(xi)判(pan)別方法(fa)
四、電子元器件抗ESD設計技術
本章介紹電子元器件(jian)抗ESD損傷的設(she)計技(ji)術(shu)，主(zhu)要包(bao)括抗ESD設(she)計的主(zhu)要原則、基本保護(hu)電路和(he)*的大規模CMOS電路中(zhong)保護(hu)電路的設(she)計。主(zhu)要內(nei)容(rong)有：
4.1 元器(qi)件抗ESD設(she)計基礎;
4.2 元(yuan)器件基本(ben)抗ESD保護電路;
4.3 CMOS電(dian)路ESD失效模(mo)式和機理;
4.4 CMOS電路ESD可靠性設計策(ce)略(lve);
4.5 CMOS電(dian)路基本ESD保護(hu)電(dian)路的設(she)計(ji);
4.6 電子設備(bei)ESD損傷途徑及(ji)其保護電路設計;
4.7 工藝控(kong)制和管理;
防靜電放電（ESD）損傷技術培訓
轉載：//citymember.cn/gkk_detail/1255.html
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